امروزه با پیشرفت صنعت، ابعاد تراشه‌های الکتروشیمیایی، الکترونیکی و اپتوالکترونیکی نیز رو به کوچک شدن هستند. از این‌رو، یافتن نانومواد هیبریدی آلی و معدنی مناسب، به عنوان ماده‌ی اصلی چنین تراشه‌ها و قطعاتی حائز اهمیت بسیاری است. این مواد باید از خاصیت دی الکتریکی مناسب و ایجاد پیوندهای مستحکم برخوردار باشند. در این طرح تلاش شده با استفاده از فناوری نانو، مواد هیبریدی تولید شود تا بتوان از نشتی جریان در قطعات الکترونیکی جلوگیری کرد.

با توجه به قابلیت‌های ممتاز نانومواد هیبریدی آلی و معدنی در ممانعت از جریان نشتی و تونلی و نیز داشتن ثابت دی الکتریک بالا بر آن شدیم تا با سنتز یک نانوذره‌ی هیبریدی آلی و معدنی، کاهش قابل توجهی در جلوگیری از جریان نشتی در قطعات الکترونیکی ایجاد نماییم

با توجه به نتایج و ثابت دی الکتریک بالای محاسبه شده، در آینده می‌توان از این نانوذرات به عنوان یک گیت دی الکتریک در ساخت قطعات نانوالکترونیک آلی استفاده نمود. کاهش هزینه‌ی فرایند به دلیل استفاده از روش آسان سل- ژل، کاهش قیمت نمونه با استفاده از مواد اولیه‌ی ارزان قیمت، کاهش اتلاف انرژی و افزایش سرعت پردازش قطعات الکتریکی از دیگر مزایای اصلی ساخت و کاربرد عایق دی‌الکتریک پیشنهادی است.

در ساخت این نانومواد هیبریدی از نانوذرات اکساید لانتانیم، به دلیل ثابت دی الکتریک بالا و آنتراسن، به دلیل قیمت بسیار ارزان و قابلیت دسترسی آسان، استفاده شده است. روش‌های XRD، SEM، FTIR و نیز روش X-Powder از جمله آزمون‌های استفاده شده جهت بررسی نانوساختاری این مواد بوده است.

با توجه به طیف‌های XRD، افزایش غلظت آنتراسن تزریق شده به لانتانیم اکساید در دمای 500 درجه سانتی‌گراد، اندازه‌ی نانوذرات را به سمت بلوری پیش می‌برد. اما در دمای 300 درجه‌ی سانتی گراد، با افزایش غلظت آنتراسن ساختار نانوذرات آمورف‌تر می‌شوند. لذا این شکل اخیر، به دلیل عدم وجود مرز دانه‌ها، می‌تواند برای کاهش جریان‌های تونلی و نشتی مفید باشد. تصاویر SEM و اندازه‌های نانوذرات با نرم افزار X-Powder نیز این ادعا را ثابت می‌نماید. از طرفی میانگین اندازه نانوذرات حدود 48 نانومتر بوده است